半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信 号和进行能量转换。半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。
半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信 号和进行能量转换。半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。
半导体器件(semiconductor device)通常利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两 类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的 一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些 环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存 储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波 通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体 器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战等系统中已得到广泛的应用 。
晶体二极管晶体二极管的基本结构是由一块 P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个 PN结。在PN结的交界面处，由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子要相互向对方扩散而形成一个具有空间电荷的偶极层。这偶极层阻止了空穴和电子的继续扩散而使PN结达到平衡状态。当PN结的P端(P型半导体那边)接电源的正极而另一端接负极时，空穴和电子都向偶极层流动而使偶极层变薄，电流很快上升。如果把电源的方向反过来接，则空穴和电子都背离偶极层流动而使偶极层变厚，同时电流被限制在一个很小的饱和值内(称反向饱和电流)。因此，PN结具有单向导电性。此外，PN结的偶极层还起一个电容的作用，这电容随着外加电压的变化而变化。在偶极层内部电场很强。当外加反向电压达到一定阈值时，偶极层内部会发生雪崩击穿而使电流突然增加几个数量级。利用PN结的这些特性在各种应用领域内制成的二极管有：整流二极管、检波二极管、变频二极管、变容二极管、开关二极管、稳压二极管(曾讷二极管)、崩越二极管(碰撞雪崩渡越二极管)和俘越二极管(俘获等离子体雪崩渡越时间二极管)等。此外，还有利用PN结特殊效应的隧道二极管，以及没有PN结的肖脱基二极管和耿氏二极管等。
双极型晶体管它是由两个PN结构成，其中一个PN结称为发射结，另一个称为集电结。两个结之间的一薄层半导体材料称为基区。接在发射结一端和集电结一端的两个电极分别称为发射极和集电极。接在基区上的电极称为基极。在应用时，发射结处于正向偏置，集电极处于反向偏置。通过发射结的电流使大量的少数载流子注入到基区里，这些少数载流子靠扩散迁移到集电结而形成集电极电流，只有极少量的少数载流子在基区内复合而形成基极电流。集电极电流与基极电流之比称为共发射极电流放大系数。在共发射极电路中，微小的基极电流变化可以控制很大的集电极电流变化，这就是双极型晶体管的电流放大效应。双极型晶体管可分为NPN型和PNP型两类。
场效应晶体管场效应晶体管依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应)，使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。根据栅的结构,场效应晶体管可以分为三种：①结型场效应管(用PN结构成栅极);②MOS场效应管(用金属-氧化物-半导体构成栅极,见金属-绝缘体-半导体系统);③MES场效应管(用金属与半导体接触构成栅极);其中MOS场效应管使用最广泛。尤其在大规模集成电路的发展中,MOS大规模集成电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波晶体管上。在MOS器件的基础上,又发展出一种电荷耦合器件 (CCD)，它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息，控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等;配上光电二极管列阵，可用作摄像管。
10月31日-11月2日,2023云栖大会在杭州云栖小镇举办。大会以引领计算技术创新为宗旨,承载着计算技术的新思想、新实践、新突破。现场布设40000平米科技展,涵盖算力、人工智能+、产业创新三大主题并设有两场重磅主论坛...
11月2日消息，iQOO宣布iQOO 12首发搭载自研电竞芯片Q1，率先实现行业内首个游戏内的超分和插帧并发。
近日，英特尔与阿里巴巴在2023云栖大会上共同展示了双方在云计算、网络与边缘等领域从技术到实践应用的丰富合作与多元创新，并首次披露了即将发布的第五代英特尔®至强®可扩展处理器在阿里云实例中的应用及其实践性能。
该项目预计2025年初建成，届时将成为长电科技在国内建设的第一条智能化“黑灯工厂”生产线，同时也将成为国内大型专业汽车电子芯片成品制造标杆工厂，有助于带动整个产业链向高性能、高可靠性、高度自动化的方向发展。
Oct. 31, 2023 ---- 近年来随着地缘政治纷扰不断，各地急需发展本土半导体供应链以稳固产业供货稳定性。据TrendForce集邦咨询数据显示，从今年第二季全球前十大晶圆代工业者营收排名来看，TSMC(台积电...
2023年11月11日消息，据韩媒The Elec最新报道，由于Mate 60系列的强劲需求，华为将明年智能手机出货量目标定为1亿部，这一数字比之前机构预测的高出40%。
COSEL株式会社（英文名称: COSEL CO., LTD. ）（6905: 东京）今天宣布推出新一代工业用高紧凑电源TE系列。TE系列采用宽带隙氮化镓半导体、高频平面变压器和增强型反激拓扑等先进技术，包括45W（TE...
2023年10月31日 – 昨日，由国内领先的半导体电子信息媒体芯师爷主办的第五届硬核芯生态大会圆满落幕，会上揭晓了2023年度硬核中国芯评选大奖，亿铸科技荣获2023年度卓越成长表现企业奖。
根据长电科技最新发布的2023 Q3财报显示，公司营收与利润三季度环比显著增长：营业收入82.6亿元，环比增长30.8%；净利润4.8亿元，环比增长24%。考虑到四季度至明年尚有待释放的潜在市场利好，以及长电科技近一年针...
江南app官网下载
10月25日，由胜科纳米（苏州）股份有限公司（简称：胜科纳米）主办的第一届半导体第三方分析检测生态圈战略大会在苏州美丽的金鸡湖畔举办。会议伊始，胜科纳米董事长李晓旻发表致辞并作了题为《Labless如何助力半导体行业的高...
Analog Devices (ADI)诚邀公众和媒体参与第六届中国国际进口博览会，期待通过演示互动和专家研讨，探访ADI在工业自动化、汽车、医疗健康、消费电子、新能源与可持续发展等领域的创新成果，感受ADI如何通过边缘...
10月25日-27日,第二十一届中国半导体封装测试技术与市场年会在昆山举行。本次年会以“‘敢’字为先,谋封测产业新发展”为主题,来自全球的2300余名业界专家、学者、政府领导齐聚一堂,围绕我国半导体产业政策和发展方向、先...
10月29日消息， Canalys发布的最新数据显示，2023年第三季度，中国智能手机市场出货连续两个季度下跌平缓，同比下滑5%至6670万部。
如今，利用新的方法来创造差异化的产品是当今技术创新者们所追求的目标。当半导体扩展规律已经显示出极限时，我们该如何满足对更高计算性能的需求？办法只有一个：为特定需求定制计算。具体来说满足定制计算需要具备架构优化、应用剖析、...
拓尔微TMI8180A专为智能家居打造，是一款集成电流检测功能的H桥电机驱动器，支持工作电压4.5V-37V，峰值电流3.8A，适用于扫地机器人、电动窗帘、打印机、扫描仪和智能仪表等。
TMIS7701/7702是拓尔微推出的两款高分辨率、高精度、低温漂和低功耗的时间数字转换产品，其中TMIS7701为单通道TDC，尤其适用于单点测距类产品，如高尔夫望远镜、瞄准镜、手持成像测距仪等；TMIS7702为双...
拓尔微TMI8721-Q1专为智能汽车车身域打造，支持SPI通讯，用于各类驱动参数的调节及故障信息的读取；同时TMI8721-Q1内部集成了电流采样运放和电流斩波功能，能够减小外部电路成本，且斩波功能在控制电机功耗方面十...
拓尔微作为国产芯片的资深企业，拓尔微携多款全新产品以超强阵容亮相广交会，多领域、多应用场景、多维度展示拓尔微的深厚实力和硬核品质。
高性能计算和人工智能正在形成推动半导体行业飞速发展的双翼。面对摩尔定律趋近极限的挑战，3DIC Chiplet先进封装异构集成系统越来越成为产业界瞩目的焦点。这种创新的系统不仅在Chiplet的设计、封装、制造、应用等方...