江南app官网下载江南app官网下载江南app官网下载半导体器件，主要分半导体器件的命名方法、常用半导体二极管的主要参数、常用整流桥的主要参数、常用稳压二极管的主要参数、常用半导体三极管的主要参数、常用场效应管主要参数、部分国外场效应管和晶体的参数等部分，供相关人员参考。

　　半导体器件编写人：熊帮新审核人：龙从玉4.1．半导体分立器件的命名方法我国半导体分立器件的命名法表4.1国产半导体分立器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部用数字表示器件电极的数目用汉语拼音字母表示器件的材料和极用汉语拼音字母表示器件的类型型，硅材料PNP普通管微波管稳压管参量管整流管整流堆隧道管阻尼管光电器件开关管低频小功率1W）高频小功率CSBTFHPIJG低频大功率管1W)高频大功率管1W）半导体闸流管(可控硅整流体效应器件雪崩管阶跃恢复管场效应器件半导体特殊器复合管PIN锗材料PNP型低频大功率三极管：硅材料NPN型高频小功率三极管：规格号规格号序号序号低频大功率低频大功率PNP型、锗材料PNP型、锗材料三极管三极管序号规格号稳压管耗散功率型、硅材料三个电极二极管特种管半导体常用电子元器件数据手册（2）国际电子联合会半导体器件命名法表4.2国际电子联合会半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表示使用的材料用字母表示类型及主要特性用数字或字母加数字表示登记号用字母对同一型号者分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义检波、开关和混频二极管封闭磁路中的霍尔元件通用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用同一登记号）复合器件及其它器件开放磁路中的霍尔元件稳压二极管即齐纳二极管专用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用同一登记号）同一型号器一参数进行分AF239型某一参数的S普通用登记序号高频小功率三极管锗材料国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFEPNP）。极性的确定需查阅手册半导体器件美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表4.3所示。表4.3美国电子工业协会半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符号表示用途的类型用数字表示PN结的数目美国电子工业协会(EIA)注册标志美国电子工业协会(EIA)登记顺序号用字母表示器件分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义二极管JAN三个PN结器件个PN结器件该器件在美国电子工业协会登记的顺序号同一型号的不同档1N4001JAN4001EIA登记序号EIA登记序号EIA注册标志EIA注册标志三极管二极管军用品美国晶体管型号命名法的特点：型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N开头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。除去前缀以外，凡型号以1N、2N或3N……开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。第四部分数字只表示登记序号，而不含其它意义。因此，序号相邻的两器件可能特性相差很大。例如，2N3464为硅NPN，高频大功率管，而2N3465不同厂家生产的性能基本一致的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数的差异常用后缀字母表示。因此，型号相同的器件可以通用。日本半导体器件型号命名法日本半导体分立器件（包括晶体管）或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日本工业标准（JIS）规定的命名法（JIS－C－702）命名的。日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成。通常只用到前五部分。前五部分符号及意义如表12所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六部分的符号表示特殊的用途及特性，其常用的符号有：M－松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准登记的常用电子元器件数据手册产品。N－松下公司用来表示该器件符合日本广播协会（NHK）有关标准的登记产品。Z－松下公司用来表示专用通信用的可靠性高的器件。H－日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。K－日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。T－日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。G－东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。S－三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。第七部分的符号，常被用来作为器件某个参数的分档标志。例如，三菱公司常用R，等字母；日立公司常用A，B，C，D等字母，作为直流放大系数hFE的分档标志。表4.4日本半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示类型或有效电极数表示日本电子工业协会（EIAJ）的注册产品用字母表示器件的极性及类型用数字表示在日本电子工业协会登记的顺序号用字母表示对原来型号的改进产品PNP型高频管PNP型低频管NPN型高频管光电(即光敏)二极管、晶体管及其组合NPN型低频管三极管、具有两个以上PN结的其他晶具有四个有效电极或具有三个PN具有n个有效电极或具有n-1表示已在日本电子工业协会(EIAJ)注册登记的半导体分立器件始，表示在日本电子工业协会注册登记的顺序号，不同公司性能相同的器件可以使用同一顺序号，其数字越大越是近期产品用字母表示对原来型号的改进产品示例：1）2SC502A（日本收音机中常用的中频放大管）2SC502型的改进产品日本电子工业协会登记顺序号NPN型高频三极管日本电子工业协会注册产品三极管（两个PN2）2SA495（日本夏普公司GF－9494收录机用小功率管）半导体器件495日本电子工业协会登记顺序号PNP高频管日本电子工业协会注册产品三极管（两个PN型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680 型的最大额 定耗散功率为200mW，而2SC2681 的最大额定耗散功率为100W。但是，登记顺序号 能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。 日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把2S 省略。例如，2SD764，简化为D764，2SC502A 简化为C502A。 2SD型）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355 日本通常把Pcm 1W的管子，称做大功率管。 4.2．常用半导体二极管的主要参数 表4..5 部分半导体二极管的参数 /mA正向压 最高反向工作 电压/V /pF反向恢复 时间/ns 2AP9 2.5 40 20 2AP7 16 150100 250 (MHz)150 2AP11 25 10 10 普通 检波 二极 2AP1715 10 100250 2AK130 10 2AK2 150 4020 2002AK5 200 0.9 60 40 1502AK10 10 7050 2AK13 60 40 2AK14250 0.7 70 50 1502CK70A~E 10 2CK71A~E20 1.5 2CK72A~E30 0.8 2CK73A~E 50 2CK74A~D100 A30 B45 C60 D75 A20 B30 C40 D50 2CK75A~D150 2CK76A~D200 E90E60 2CZ52BH 25/600 2CZ53BM 50/1000同2AP普通 二极管 2CZ54BM 10 0.5 50/10002CZ55BM 20 50/10002CZ56BB 65 0.825/1000 1N40014007 30 1.150/1000 1N5391539950 1.5 1.4 50/1000 10 4.3.常用整流桥的主要参数 表4.6 几种单相桥式整流器的参数 参数 型号 不重复正向 浪涌电流/A 整流 电流/A 正向电 反向工作电压/V最高工作