台湾师范大学公开江南app官网下载课:半导体元件物理
栏目:江南体育app官方下载 发布时间:2023-11-02
 课程介绍:本课程由刘传玺教授授课讲解:半导体元件物理课程,本课程共12个单元,江南app官网下载江南app官网下载江南app官网下载52节课  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第1章半导体元件物理先备知识:1-半导体能带的形成(1)  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第1章半导体元件物理先备知识:1-半导体能带的形成(2)  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第1章半导体

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  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第1章半导体元件物理先备知识:1-半导体能带的形成(1)

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  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第1章半导体元件物理先备知识:1-半导体能带的形成(3)

  【第4集】第2章 半导体元件物理的基础一 :1-半导体能带观念与载子浓度一

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第2章 半导体元件物理的基础一 :1-半导体能带观念与载子浓度一

  【第5集】第2章 半导体元件物理的基础一 :2-半导体能带观念与载子浓度二

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第2章 半导体元件物理的基础一 :2-半导体能带观念与载子浓度二

  【第6集】第2章 半导体元件物理的基础一 :3-半导体能带观念与载子浓度三大荧幕

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第2章 半导体元件物理的基础一 :3-半导体能带观念与载子浓度三大荧幕

  【第7集】第2章 半导体元件物理的基础一 :4-半导体能带观念与载子浓度四大荧幕

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第2章 半导体元件物理的基础一 :4-半导体能带观念与载子浓度四大荧幕

  【第8集】第2章 半导体元件物理的基础一 :5-半导体能带观念与载子浓度五大荧幕

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第2章 半导体元件物理的基础一 :5-半导体能带观念与载子浓度五大荧幕

  【第9集】第3章 半导体元件物理的基础(二):1-半导体能带观念与载子浓度(一)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第3章 半导体元件物理的基础(二):1-半导体能带观念与载子浓度(一)

  【第10集】第3章 半导体元件物理的基础(二):2-半导体能带观念与载子浓度(二)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第3章 半导体元件物理的基础(二):2-半导体能带观念与载子浓度(二)

  【第11集】第3章 半导体元件物理的基础(二):3-半导体能带观念与载子浓度(三)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第3章 半导体元件物理的基础(二):3-半导体能带观念与载子浓度(三)

  【第12集】第3章 半导体元件物理的基础(二):4-半导体能带观念与载子浓度(四)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第3章 半导体元件物理的基础(二):4-半导体能带观念与载子浓度(四)

  【第13集】第3章 半导体元件物理的基础(二):5-半导体能带观念与载子浓度(五)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第3章 半导体元件物理的基础(二):5-半导体能带观念与载子浓度(五)

  【第14集】第4章 半导体元件物理的基础(三):1-载子的传输现象(一)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第4章 半导体元件物理的基础(三):1-载子的传输现象(一)

  【第15集】第4章 半导体元件物理的基础(三):2-载子的传输现象(二)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第4章 半导体元件物理的基础(三):2-载子的传输现象(二)

  【第16集】第4章 半导体元件物理的基础(三):3-载子的传输现象(三)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第4章 半导体元件物理的基础(三):3-载子的传输现象(三)

  【第17集】第4章 半导体元件物理的基础(三):4-载子的传输现象(四)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第4章 半导体元件物理的基础(三):4-载子的传输现象(四)

  【第18集】第4章 半导体元件物理的基础(三):5-载子的传输现象(五)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第4章 半导体元件物理的基础(三):5-载子的传输现象(五)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第5章 半导体元件物理的基础(四):1-本章结论(一)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第5章 半导体元件物理的基础(四):2-本章结论(二)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第5章 半导体元件物理的基础(四):3-连续方程式(一)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第5章 半导体元件物理的基础(四):4-连续方程式(二)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第6章 P-N接面的基本结构与特性(一)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第6章 P-N接面的基本结构与特性(二)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第7章 P-N接面(二):1-零偏压

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第7章 P-N接面(二):2-习题演练

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第7章 P-N接面(二):3-逆向偏压(一)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第7章 P-N接面(二):4-逆向偏压(二)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第7章 P-N接面(二):5-空乏层电容

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第7章 P-N接面(二):6-单侧陡接面

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第8章 P-N接面(三):1-理想二极体I-V特性(1)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第8章 P-N接面(三):2-理想二极体I-V特性(2)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第8章 P-N接面(三):3-理想二极体I-V特性(3)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第8章 P-N接面(三):4-理想二极体I-V特性(4)

  【第37集】第8章 P-N接面(三):5-实际二极体I-V特性与接面崩溃

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第8章 P-N接面(三):5-实际二极体I-V特性与接面崩溃

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第8章 P-N接面(三):6-习题演练

  【第39集】第9章 金氧半场效电晶体(MOSFET)(一):1-MOS电容器的结构与特性(1)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第9章 金氧半场效电晶体(MOSFET)(一):1-MOS电容器的结构与特性(1)

  【第40集】第9章 金氧半场效电晶体(MOSFET)(一):2-MOS电容器的结构与特性(2)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第9章 金氧半场效电晶体(MOSFET)(一):2-MOS电容器的结构与特性(2)

  【第41集】第9章 金氧半场效电晶体(MOSFET)(一):3-理想的MOS(金氧半)元件(1)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第9章 金氧半场效电晶体(MOSFET)(一):3-理想的MOS(金氧半)元件(1)

  【第42集】第9章 金氧半场效电晶体(MOSFET)(一):4-理想的MOS(金氧半)元件(2)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第9章 金氧半场效电晶体(MOSFET)(一):4-理想的MOS(金氧半)元件(2)

  【第43集】第10章 金氧半场效电晶体(二):1-理想的MOS(金氧元)元件(1)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第10章 金氧半场效电晶体(二):1-理想的MOS(金氧元)元件(1)

  【第44集】第10章 金氧半场效电晶体(二):2-理想的MOS(金氧元)元件(2)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第10章 金氧半场效电晶体(二):2-理想的MOS(金氧元)元件(2)

  【第45集】第10章 金氧半场效电晶体(二):3-理想的MOS(金氧元)元件(3)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第10章 金氧半场效电晶体(二):3-理想的MOS(金氧元)元件(3)

  【第46集】第10章 金氧半场效电晶体(二):4-理想的MOS(金氧元)元件(4)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第10章 金氧半场效电晶体(二):4-理想的MOS(金氧元)元件(4)

  【第47集】第10章 金氧半场效电晶体(二):5-理想的MOS(金氧元)元件(5)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第10章 金氧半场效电晶体(二):5-理想的MOS(金氧元)元件(5)

  【第48集】第11章 金氧半场效电晶体(三):1-理想MOS的临界电压

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第11章 金氧半场效电晶体(三):1-理想MOS的临界电压

  【第49集】第11章 金氧半场效电晶体(三):2-理想MOS的临界电压(2)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第11章 金氧半场效电晶体(三):2-理想MOS的临界电压(2)

  【第50集】第11章 金氧半场效电晶体(三):3-理想MOS的临界电压(3)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第11章 金氧半场效电晶体(三):3-理想MOS的临界电压(3)

  【第51集】第12章 金氧半场效电晶体(四):1-理想MOS的C-V(电容-电压)特性(1)

  台湾师范大学公开课:半导体元件物理 - 第12章 金氧半场效电晶体(四):1-理想MOS的C-V(电容-电压)特性(1)

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