①结型场效应管（用 PN 结构成栅极）；       ②MOS 场效应管（用金属-氧化物－半导体构成栅极，见金属－绝缘 体－半导体系统）；       ③MES 场效应管（用金属与半导体接触构成栅极）;其中 MOS 场效 应管使用最广泛。尤其在大规模集成电路的发展中，MOS 大规模集成电路具 有特殊的优越性。MES 场效应管一般用在 GaAs 微波晶体管上。       在 MOS 器件的基础上，又发展出一种电荷耦合器件 （CCD），它是 以半导体表面附近存储的电荷作为信息，控制表面附近的势阱使电荷在表面 附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等；配上光电 二极管列阵，可用作摄像管。

　　晶体二极管     晶体二极管的基本结构是由一块 P 型半导体和一块 N 型半导体结合 在一起形成一个 PN 结。在 PN 结的交界面处，由于 P 型半导体中的空穴和 N 型半导体中的电子要相互向对方扩散而形成一个具有空间电荷的偶极层。 这偶极层阻止了空穴和电子的继续扩散而使 PN 结达到平衡状态。当 PN 结的 P 端（P 型半导体那边）接电源的正极而另一端接负极时，空穴和电子都向 偶极层流动而使偶极层变薄，电流很快上升。如果把电源的方向反过来接， 则空穴和电子都背离偶极层流动而使偶极层变厚，同时电流被限制在一个很 小的饱和值内（称反向饱和电流）。因此，PN 结具有单向导电性。       此外，PN 结的偶极层还起一个电容的作用，这电容随着外加电压的 变化而变化。在偶极层内部电场很强。当外加反向电压达到一定阈值时，偶 极层内部会发生雪崩击穿而使电流突然增加几个数量级。利用 PN 结的这些 特性在各种应用领域内制成的二极管有：整流二极管、检波二极管、变频二 极管、变容二极管、开关二极管、稳压二极管（曾讷二极管）、崩越二极管 （碰撞雪崩渡越二极管）和俘越二极管（俘获等离子体雪崩渡越时间二极 管）等。此外，还有利用 PN 结特殊效应的隧道二极管，江南app官网下载以及没有 PN 结的肖 脱基二极管和耿氏二极管等。

　　双极型晶体管     它是由两个 PN 结构成，其中一个 PN 结称为发射结，另一个称为集 电结。两个结之间的一薄层半导体材料称为基区。接在发射结一端和集电结 一端的两个电极分别称为发射极和集电极。接在基区上的电极称为基极。在 应用时，发射结处于正向偏置，集电极处于反向偏置。通过发射结的电流使 大量的少数载流子注入到基区里，这些少数载流子靠扩散迁移到集电结而形 成集电极电流，江南app官网下载只有极少量的少数载流子在基区内复合而形成基极电流。集 电极电流与基极电流之比称为共发射极电流放大系数。在共发射极电路中， 微小的基极电流变化可以控制很大的集电极电流变化，这就是双极型晶体管 的电流放大效应。双极型晶体管可分为 NPN 型和 PNP 型两类。       场效应晶体管     它依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻（简称场效 应），使具有放大信号的功能。江南app官网下载这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。 控制横向电场的电极称为栅。       根据栅的结构，场效应晶体管可以分为三种：