专利摘要显示，本申请提供一种场效应晶体管、其制作方法及集成电路，该场效应晶体管可以包括：第一冷源极、第二冷源极、沟道、栅极，以及栅极介质层。第一冷源极包括：第一掺杂层、江南app官网下载第二掺杂层，以及第一导体层，第一掺杂层与沟道接触。第二冷源极包括：第三掺杂层、第四掺杂层，以及第二导体层，第三掺杂层与沟道接触。第一掺杂层与第三掺杂层属于同一掺杂类型，第二掺杂层与第四掺杂层属于同一掺杂类型，第一掺杂层与第二掺杂层属于不同的掺杂类型。通过在场效应晶体管中设置第一冷源极和第二冷源极，江南app官网下载通过调整第一冷源极或第二冷源极的载流子态密度，江南app官网下载可以降低场效应晶体管的亚阈值摆幅，进而降低集成电路的工作电压，使集成电路的功耗较低。