专利摘要显示，一集成电路共设计方法，其包含以下步骤：提取一第一电流曲线模型是相关于在一晶片上系统的一第一设计阶段的该晶片上系统。然后根据该提取第一电流曲线模型，决定一集成电压调节器及该晶片上系统是否通过一第一共模拟。下一个，提取一第二电流曲线模型，该第二电流曲线模型是相关于在该晶片上系统的一第二设计阶段的该晶片上系统。然后根据该提取第二电流曲线模型，决定该集成电压调节器与该晶片上系统是否通过一第二共模拟。提取一第三电流曲线模型，该提取第三电流曲线模型是相关于在该晶片上系统的一第三设计阶段的该晶片上系统。然后根据该提取第三电流曲线模型，决定该集成电压调节器与该晶片上系统是否通过一第三共模拟。